| 阳离子表面活性剂对A向蓝宝石晶片化学机械抛光效率的影响 |
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| 引用本文： | 白亚雯,陈国美,滕康,倪自丰.阳离子表面活性剂对A向蓝宝石晶片化学机械抛光效率的影响[J].人工晶体学报,2018,47(3):470-475. |
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| 作者姓名： | 白亚雯 陈国美 滕康 倪自丰 |
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| 作者单位： | 江南大学机械学院,无锡,214122;无锡商业职业技术学院机电技术学院,无锡,214153 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(1074130206170730);江苏省自然科学基金(BK20130143) |
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| 摘 要： | 为了探究阳离子表面活性剂对A向(1120)蓝宝石晶片化学机械抛光效率的影响,采用失重法计算蓝宝石的材料去除率(MRR)、原子力显微镜观察抛光后蓝宝石晶片表面粗糙度(Ra).结果表明:纯二氧化硅磨粒抛光液中,蓝宝石晶片的MRR在pH8时最优(MRR=1984/h),此时Ra为0.867 nm;添加一定浓度的阳离子表面活性剂可以提高蓝宝石晶片的抛光效率,其MRR在pH =9时达到最大(MRR=2366 nm/h),此时Ra =0.810 nm.通过粒径和Zeta电位分析,阳离子表面活性剂改变了二氧化硅磨粒表面的Zeta电位值,进而改变了磨粒与磨粒及磨粒与蓝宝石晶片的作用力,且在碱性条件下可以获得较高的MRR.
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| 关 键 词： | 蓝宝石晶片 化学机械抛光 阳离子表面活性剂 材料去除率 pH值 |
Effect of Cationic Surfactant on Chemical Mechanical Polishing Efficiency of a-plane Sapphire |
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| BAI Ya-wen,CHEN Guo-mei,TENG Kang,NI Zi-feng.Effect of Cationic Surfactant on Chemical Mechanical Polishing Efficiency of a-plane Sapphire[J].Journal of Synthetic Crystals,2018,47(3):470-475. |
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| Authors: | BAI Ya-wen CHEN Guo-mei TENG Kang NI Zi-feng |
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