| 管式PECVD氮化硅薄膜不同退火环境的工艺研究 |
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| 引用本文： | 郭丽,武纹平,陈丽.管式PECVD氮化硅薄膜不同退火环境的工艺研究[J].人工晶体学报,2018,47(1):231-234. |
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| 作者姓名： | 郭丽 武纹平 陈丽 |
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| 作者单位： | 山西潞安太阳能科技有限责任公司,长治,046011;山西潞安煤基清洁能源有限责任公司,长治,046299 |
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| 摘 要： | 研究了在真空与氮气两种环境中不同的退火温度和退火时间对氮化膜薄膜性能影响,测试了退火后氮化硅薄膜的膜厚、折射率、少子寿命以及电性能参数.结果表明,多晶硅管式PECVD真空退火环境优于氮气,并确定当退火温度在450 ℃、退火时间20 min时,工艺参数最佳.当温度过高过低均不利于膜厚的增加也不利于形成良好的欧姆接触,且此时光电转换效率较差.折射率的变化却不同,其最大值是在低温下达到的,此时氮气环境更有利于高折射率的获得.此外,还就膜厚和折射率随温度、环境变化的情况进行了详细的讨论.
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| 关 键 词： | 氮化硅薄膜 管式PECVD 真空 退火 |
Process Research of Silicon Nitride Thin Film Annealed in Various Atmospheres by Tube Type PECVD |
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| GUO Li,WU Wen-ping,CHEN Li.Process Research of Silicon Nitride Thin Film Annealed in Various Atmospheres by Tube Type PECVD[J].Journal of Synthetic Crystals,2018,47(1):231-234. |
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| Authors: | GUO Li WU Wen-ping CHEN Li |
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