| AlN晶体PVT生长装置的智能控制系统研究 |
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| 引用本文： | 覃佐燕,庄志贤,武红磊,郑瑞生,王科.AlN晶体PVT生长装置的智能控制系统研究[J].人工晶体学报,2018,47(4):770-776. |
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| 作者姓名： | 覃佐燕 庄志贤 武红磊 郑瑞生 王科 |
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| 作者单位： | 深圳大学光电工程学院,光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室,深圳518060;深圳大学光电工程学院,光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室,深圳518060;深圳市统先科技股份有限公司,深圳518000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11447029);深圳市科技计划项目(20160520174438578) |
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| 摘 要： | AlN晶体的物理气相传输(PVT)法生长条件要求苛刻,如0.3~5 atm的高纯氮气生长气氛和2100~2400 ℃的生长温度.结合AlN晶体PVT生长工艺的特点,通过可编程逻辑控制器(PLC)进行适用于氮化铝(AlN)晶体PVT生长装置的智能控制系统的研究.首先,提出了倒置温场的生长工艺以降低AlN晶体PVT生长的成核数量,并通过自动控制程序设计满足不同生长阶段的温场要求;其次,针对设备可能存在超温、超压及冷却水断流等实验安全问题,设计并实现系统的自动化报警及自处理操作;最后,在实验操作上,实现AlN晶体生长的"一键式"全自动化工作.
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| 关 键 词： | AlN PVT PLC 倒置温场 |
Research of Intelligent Control System for AlN Crystal PVT Growth Device |
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| QIN Zuo-yan,ZHUANG Zhi-xian,WU Hong-lei,ZHENG Rui-sheng,WANG Ke.Research of Intelligent Control System for AlN Crystal PVT Growth Device[J].Journal of Synthetic Crystals,2018,47(4):770-776. |
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| Authors: | QIN Zuo-yan ZHUANG Zhi-xian WU Hong-lei ZHENG Rui-sheng WANG Ke |
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