| 基于温和等离子体技术的二硫化钨可控减薄 |
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| 引用本文： | 冯少朋,肖少庆,南海燕,顾晓峰.基于温和等离子体技术的二硫化钨可控减薄[J].人工晶体学报,2018,47(9):1868-1872. |
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| 作者姓名： | 冯少朋 肖少庆 南海燕 顾晓峰 |
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| 作者单位： | 江南大学电子工程系,物联网技术应用教育部工程研究中心,无锡 214122 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61404061,11704159);江苏省自然科学青年基金(BK20140168,BK20170167);中央高校基本科研业务费专项资金资助(JUSRP51726B) |
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| 摘 要： | 二硫化钨(WS2)作为二维过渡金属硫族化合物(TMDs)中的一员,具有独特的光学和电子性能,引起学术界和产业界的高度关注和广泛研究.当厚层WS2转变为少层甚至单层WS2时,其能带结构由间接带隙转为直接带隙,因此可用于光电探测器,和电致发光器件等.本文采用一种处于电容放电模式(E-mode)下的温和电感耦合等离子体对WS2进行减薄.通过使用不同的RF功率密度,厚层WS2可以被快速减薄,而少层WS2可以被逐层减薄.拉曼和荧光表明,随着WS 2样品被减薄,其荧光显著增强.本研究为对二维材料的可控减薄提供了新途径.
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| 关 键 词： | 二硫化钨 温和等离子体 可控减薄 荧光 |
Controllable Thinning of Tungsten Disulfide Based on Soft Plasma |
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| FENG Shao-peng,XIAO Shao-qing,NAN Hai-yan,GU Xiao-feng.Controllable Thinning of Tungsten Disulfide Based on Soft Plasma[J].Journal of Synthetic Crystals,2018,47(9):1868-1872. |
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| Authors: | FENG Shao-peng XIAO Shao-qing NAN Hai-yan GU Xiao-feng |
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