| SiN-SiC纳米薄膜自旋相关的塞贝克效应研究 |
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| 引用本文： | 李强,杨贝贝,左安友,杨永明.SiN-SiC纳米薄膜自旋相关的塞贝克效应研究[J].人工晶体学报,2018,47(8):1705-1710. |
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| 作者姓名： | 李强 杨贝贝 左安友 杨永明 |
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| 作者单位： | 湖北民族学院新材料与机电工程学院,恩施,445000 |
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| 基金项目： | 湖北省自然科学基金(2014CFB619,2014CFB342);湖北民族学院博士科研启动基金(MY2012B006);湖北民族学院院内青年科研基金(MY2017Q006) |
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| 摘 要： | 热自旋电子学结合了自旋电子学和热电子学各自优势,对人类可持续发展具有十分重要的作用.本文提出了一种基于SiN-SiC纳米薄膜的新型热自旋电子学器件.发现在源极和漏极之间施加温度场,可以获得方向相反、大小几乎相同的具有自旋极化取向的电流,即为自旋相关塞贝克效应.而且,在热电荷流中还存在着热负微分电阻效应.这些发现为设计基于SiN-SiC纳米薄膜的高效率热自旋电子学器件提供了理论指导.
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| 关 键 词： | 自旋相关塞贝克效应 SiN-SiC纳米薄膜 热自旋电子学器件 |
Spin-dependent Seebeck Effect of the SiN-SiC Nano Thin Film |
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| LI Qiang,YANG Bei-bei,ZUO An-you,YANG Yong-ming.Spin-dependent Seebeck Effect of the SiN-SiC Nano Thin Film[J].Journal of Synthetic Crystals,2018,47(8):1705-1710. |
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| Authors: | LI Qiang YANG Bei-bei ZUO An-you YANG Yong-ming |
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