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基于Callaway模型InGaN材料导热系数的理论研究
引用本文:王保柱,宋江,孟帆帆,王敏,范振凯.基于Callaway模型InGaN材料导热系数的理论研究[J].人工晶体学报,2018,47(5):929-933.
作者姓名:王保柱  宋江  孟帆帆  王敏  范振凯
作者单位:河北科技大学信息科学与工程学院,石家庄,050018
基金项目:河北省自然科学基金(F2017208031);河北省高等学校科学研究重点项目(ZD2016042)
摘    要:由于InGaN材料的禁带宽度调节范围大,热稳定性好,化学性质稳定,因此在微电子、光电子和热电领域的高温区有良好的应用前景.基于Callaway导热系数模型从理论上计算了体材料和薄膜材料InGaN的导热系数,分析了温度、In组分和边界尺寸对InGaN导热系数的影响.研究结果表明,温度大于100 K时,不同组分的InGaN材料导热系数随温度的上升而下降,300 K时,体材料In0.1Ga09N的热导系数为90.15 W·m-1·K-1,比相同温度下GaN的导热系数小一半,200 nm的In01Ga0.9N热导系数为30.68 W·m-1·K-1.InGaN合金的热导系数随着In组分先变小再变大,理论计算结果表明In0.6Ga04N的导热系数最小,300 K时,体材料的导热系数为14.52 W·m-1·K-1,200 nm的薄膜材料导热系数为4.02 W·m-1·K-1,理论计算结果与文献报道的实验结果是合理一致的.

关 键 词:Callaway模型  InGaN  导热系数  

Theoretical Study of InGaN Thermal Conductivity Based on Callaway Model
WANG Bao-zhu,SONG Jiang,MENG Fan-fan,WANG Min,FAN Zhen-kai.Theoretical Study of InGaN Thermal Conductivity Based on Callaway Model[J].Journal of Synthetic Crystals,2018,47(5):929-933.
Authors:WANG Bao-zhu  SONG Jiang  MENG Fan-fan  WANG Min  FAN Zhen-kai
Abstract:
Keywords:
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