| ZnO纳米线场效应管的制备及I-V特性研究 |
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| 引用本文： | 张威,李梦轲,魏强,曹璐,杨志,乔双双.ZnO纳米线场效应管的制备及I-V特性研究[J].物理学报,2008,57(9). |
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| 作者姓名： | 张威 李梦轲 魏强 曹璐 杨志 乔双双 |
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| 基金项目： | 辽宁省教育厅创新团队项目，辽宁省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用静电探针和原子力探针技术,将化学气相沉积工艺制备的,长度为30-200μm,直径80-750 nm的单根半导体ZnO纳米线搭接在Au,Zn,Al不同功函的金属隔离沟道两端,构建出了最基本的ZnO纳米线绝缘栅场效应管.研究了沟道类型、纳米线直径、退火温度和外加栅压对ZnO纳米线场效应管I-V特性的影响.利用半导体与金属材料的肖特基接触、欧姆接触的产生机理及电子输运理论,对结果进行了分析和讨论.
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| 关 键 词： | ZnO纳米线 场效应管 I-V特性 |
Fabrication and I-V Characteristics of ZnO nanowire-based field effect transistors |
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| Zhang Wei,Li Meng-Ke,Wei Qiang,Cao Lu,Yang zhi,Qiao Shuang-Shuang.Fabrication and I-V Characteristics of ZnO nanowire-based field effect transistors[J].Acta Physica Sinica,2008,57(9). |
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| Authors: | Zhang Wei Li Meng-Ke Wei Qiang Cao Lu Yang zhi Qiao Shuang-Shuang |
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| Keywords: | |
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