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| 用聚酰亚胺作绝缘的三层金属化布线技术的研制 | |
| 引用本文： | 齐木笃 ,原田征喜 ,王秀春.用聚酰亚胺作绝缘的三层金属化布线技术的研制[J].微电子学,1981(6). |
| 作者姓名： | 齐木笃 原田征喜 王秀春 |
| 摘 要： | 就IC、LSI的双层布线技术而言,采用代替以往用二氧化硅(以下记为SiO_2)作层间绝缘膜,用聚酰亚胺系树脂PIQ(注册商标,以下相同)的技术已获成功并且实用化。在其后的IC、LSI中,随着高密度、高集成化要求的增加,与器件进一步微型化的同时,采用三层以上多层布线的必要性引起了人们的重视。但是用SiO_2制作三层布线,存在如下几个问题。即:(1)用CVD(化学汽相淀积)形成SiO_2膜时,如图1所示的那样膜的剩余应力随着膜厚的增加急激地增大,所以堆集厚的SiO_2层容易产生裂纹;(2)由 |
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