纳米Y_2O_3∶Eu~(3+)中S_6格位电荷迁移带的光学特性 |
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引用本文: | 贾明理,张家骅,吕少哲,孙江亭,骆永石,任新光,宋宏伟,王笑军.纳米Y_2O_3∶Eu~(3+)中S_6格位电荷迁移带的光学特性[J].发光学报,2004(1). |
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作者姓名: | 贾明理 张家骅 吕少哲 孙江亭 骆永石 任新光 宋宏伟 王笑军 |
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作者单位: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室 吉林长春130033
(贾明理,张家骅,吕少哲,孙江亭,骆永石,任新光,宋宏伟),中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室 吉林长春130033(王笑军) |
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基金项目: | 国家自然科学基金 ( 5 0 172 0 47,10 2 740 83 ),中国科学院“百人计划”资助项目 |
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摘 要: | 在Y2 O3 ∶Eu3 + 体材料和纳米材料中 ,观察到紫外激发下处于S6格位的Eu3 + 的5D0 →7F1发射 ( 5 82nm)的强度 ,相对处于C2 格位的5D0 →7F0 发射 ( 5 80nm)的强度 ,随着激发波长在 2 0 0~ 3 0 0nm紫外区由长变短而增强。这一现象说明Y2 O3 ∶Eu3 + 中两种格位的电荷迁移带及基质激发的性质不同。光谱分解得出S6格位的电荷迁移带位于C2 格位电荷迁移带的高能侧 ,Y2 O3 基质倾向于向S6格位进行能量传递。与体材料相比 ,两种格位的电荷迁移带在纳米材料中都发生红移 ;相对于C2 格位的电荷迁移带 ,S6格位的电荷迁移带强度在纳米材料中比在体材料中明显降低 ,并对结果进行了讨论。
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关 键 词: | 格位 电荷迁移带 能量传递 红移 |
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