首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

用电子束激发测量高阻半导体材料的漂移迁移率
引用本文:杜秉初,钱可元.用电子束激发测量高阻半导体材料的漂移迁移率[J].真空电子技术,1987(5).
作者姓名:杜秉初  钱可元
作者单位:清华大学无线电电子学系,清华大学无线电电子学系
摘    要:本文概述了高阻低迁移率薄膜半导体材料漂移迁移率的测量原理以及实现该参数测量的具体方法。测量方法的特殊性是由材料的高电阻率和低迁移率性质所决定的。所获得的结果说明了方法的可行性。最后讨论了进一步改进测试方法的方向。

本文献已被 CNKI 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号