| 物理冶金法多晶硅片磷吸杂工艺的优化 |
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| 引用本文： | 武智平,潘淼,庞爱锁,李艳华,陈朝.物理冶金法多晶硅片磷吸杂工艺的优化[J].力学与实践,2011,32(4). |
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| 作者姓名： | 武智平 潘淼 庞爱锁 李艳华 陈朝 |
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| 作者单位： | 1. 厦门大学物理系,福建厦门,361005
2. 厦门大学物理系,福建厦门361005／厦门大学能源研究院,福建厦门361005／厦门大学福建省半导体照明工程技术研究中心,福建厦门361005 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目，福建省重大专项资助项目 |
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| 摘 要： | 对物理冶金法提纯的低成本多晶硅材料进行了磷吸杂实验研究,结果表明,950℃下时吸杂4h去杂效果最好,对磷吸杂机理进行了定性的分析和讨论。把去除吸杂层与制备绒面工艺结合起来,达到较好的效果,节省了太阳电池制备的时间和成本。
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| 关 键 词： | 物理冶金法 多晶硅 少子寿命 磷吸杂 |
Optimization of Phosphorus Gettering Technology on the Multicrystalline Silicon Wafer Purified by Physical Metallurgical Process |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | physical metallurgy process multicrystalline silicon minority carrier lifetime P gettering |
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