|
|||||
|
|
| 双δ掺杂In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究 | |
| 引用本文： | 周文政,林铁,商丽燕,黄志明,朱博,崔利杰,高宏玲,李东临,郭少令,桂永胜,褚君浩. 双δ掺杂In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料子带电子特性研究[J]. 物理学报, 2007, 56(7) |
| 作者姓名： | 周文政 林铁 商丽燕 黄志明 朱博 崔利杰 高宏玲 李东临 郭少令 桂永胜 褚君浩 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;广西大学物理科学与工程技术学院,南宁,530004 2. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083 3. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 4. 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083;华东师范大学ECNU-SITP成像信息联合实验室,上海,200062 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);国家自然科学基金 |
| 摘 要： | 研究了基于InP基的In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As赝型高迁移率晶体管材料中纵向磁电阻的Shubnikov-deHaas(SdH)振荡效应和霍耳效应,通过对纵向磁电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,获得了各子带电子的浓度,并因此求得了各子带能级相对于费米能级的位置.联立求解Schrdinger方程和Poisson方程,自洽计算了样品的导带形状、载流子浓度分布以及各子带能级和费米能级位置.理论计算和实验结果很好符合.实验和理论计算均表明,势垒层的掺杂电子几乎全部转移到了量子阱中,转移率在95%以上. |
| 关 键 词： | SdH振荡 二维电子气 FFT分析 自洽计算 |
Observations on subband electron properties in In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As MM-HEMT with Si δ-doped on the barriers |
|
| Zhou Wen-Zheng,Lin Tie,Shang Li-Yan,Huang Zhi-Ming,Zhu Bo,Cui Li-Jie,Gao Hong-Ling,Li Dong-Lin,Guo Shao-Ling,Gui Yong-Sheng,Chu Jan-Hao. Observations on subband electron properties in In0.65Ga0.35As/In0.52Al0.48As MM-HEMT with Si δ-doped on the barriers[J]. Acta Physica Sinica, 2007, 56(7) | |
| Authors: | Zhou Wen-Zheng Lin Tie Shang Li-Yan Huang Zhi-Ming Zhu Bo Cui Li-Jie Gao Hong-Ling Li Dong-Lin Guo Shao-Ling Gui Yong-Sheng Chu Jan-Hao |
| Abstract: | |
| Keywords: | SdH oscillation two-dimensional electron gas FFT analysis self-consistently calculation |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |