低远场发散角976 nm基横模脊形半导体激光器 |
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引用本文: | 王振诺,仲莉,张德帅,刘素平,潘智鹏,常津源,何天将,马骁宇.低远场发散角976 nm基横模脊形半导体激光器[J].光学学报,2024(8):140-146. |
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作者姓名: | 王振诺 仲莉 张德帅 刘素平 潘智鹏 常津源 何天将 马骁宇 |
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作者单位: | 1. 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心;2. 中国科学院大学材料科学与光电技术学院 |
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摘 要: | 采用非对称大光腔外延结构设计制备出976 nm InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱脊形半导体激光器,通过对外延结构的设计优化,以实现器件低远场发散角、低功耗的基横模稳定输出。所制备基横模脊形半导体激光器的脊宽为5μm、腔长为1500μm,在25℃测试温度下,可获得422 mW最大连续输出功率,峰值波长为973.3 nm,光谱线宽(FWHM)为1.4 nm。当注入电流为500 mA时,垂直和水平远场发散角(FWHM)分别为24.15°和3.90°。在15~35℃测试温度范围内对脊形半导体激光器的水平远场发散角进行测试分析,发现随着测试温度的升高,器件远场分布变化较小,水平远场发散角基本维持在3.9°左右。
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关 键 词: | 激光器 976 nm半导体激光器 基横模脊形波导 低远场发散角 非对称大光腔结构 |
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