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化学气相传输法生长ZnO单晶
引用本文:赵有文,董志远,魏学成,段满龙,李晋闽.化学气相传输法生长ZnO单晶[J].半导体学报,2006,27(2):336-339.
作者姓名:赵有文  董志远  魏学成  段满龙  李晋闽
作者单位:中国科学院半导体研究所,北京 100083;中国科学院半导体研究所,北京 100083;中国科学院半导体研究所,北京 100083;中国科学院半导体研究所,北京 100083;中国科学院半导体研究所,北京 100083
摘    要:利用化学气相传输法生长了ZnO单晶.通过控制源区和生长端的温度梯度,使用碳辅助增强质量传输效应,在无籽晶自发成核的条件下,得到了晶粒尺寸达5mm×8mm的ZnO晶体.利用长有GaN层的蓝宝石晶片作为籽晶,得到了直径32mm、厚4mm左右的ZnO单晶体.用光致发光谱和X射线双晶衍射研究了ZnO晶体的性质并对生长的热力学过程和现象进行了分析.

关 键 词:氧化锌  化学气相传输  单晶生长  化学  气相传输  生长  单晶体  Method  Chemical  Vapor  Transport  Single  Crystal  分析  现象  热力学过程  性质  研究  双晶衍射  射线  光致发光谱  直径  蓝宝石晶片  晶粒尺寸  条件  自发成核
文章编号:0253-4177(2006)02-0336-04
收稿时间:08 1 2005 12:00AM
修稿时间:10 14 2005 12:00AM

Growth of ZnO Single Crystal by Chemical Vapor Transport Method
Zhao Youwen,Dong Zhiyuan,Wei Xuecheng,Duan Manlong and Li Jinmin.Growth of ZnO Single Crystal by Chemical Vapor Transport Method[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(2):336-339.
Authors:Zhao Youwen  Dong Zhiyuan  Wei Xuecheng  Duan Manlong and Li Jinmin
Institution:Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China
Abstract:A ZnO single crystal is grown by a chemical vapor transport method.The size of the self-nucleated grown ZnO single crystal is 5mm×8mm through the control of temperature gradient of source and growth zones and the assistance of mass transport enhancement effect of carbon in the growth process.By using a GaN buffered sapphire substrate,a ZnO single crystal of 32mm diameter,4mm thick is obtained.PL spectroscopy and X-ray diffraction technique are used to characterize the properties and the quality of the ZnO single crystal.Thermodynamic phenomena of the single crystal growth process are also discussed.
Keywords:zinc oxide  chemical vapor transport  single crystal growth
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