| 含硅宽禁带聚合物的合成及其光电性能研究 |
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| 引用本文： | 孙晓艺,李金钰,刘辉,路萍. 含硅宽禁带聚合物的合成及其光电性能研究[J]. 高分子学报, 2018, 0(2): 284-294 |
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| 作者姓名： | 孙晓艺 李金钰 刘辉 路萍 |
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| 作者单位： | 超分子结构与材料国家重点实验室吉林大学化学学院; |
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| 摘 要： | 采用Suzuki聚合方法合成了以菲并咪唑为侧链的4种含硅宽禁带发光聚合物,并研究了这4种聚合物的光物理、电化学性质与电致发光性能.结果表明四苯基硅基团的引入能够得到宽的带隙,侧基上菲并咪唑的引入可以实现深蓝光发射.其中,基于聚合物P1的电致发光器件最大外量子效率为0.65%,最大发光效率为0.33 cd A~(-1),色坐标为(0.163,0.099).
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| 关 键 词： | 聚合物电致发光器件 深蓝光 宽禁带 菲并咪唑 四苯基硅 |
Design,Synthesis and Optoelectronic Properties of Silicon-containing Wide Bandgap Light-emitting Polymers |
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