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基于吡咯并吡咯二酮的二元和三元共轭聚合物的光电性能研究
引用本文:章中强,刘志玺,严康荣,李焕斌,刘文清,路新慧,李寒莹,陈红征,李昌治.基于吡咯并吡咯二酮的二元和三元共轭聚合物的光电性能研究[J].高分子学报,2018(2).
作者姓名:章中强  刘志玺  严康荣  李焕斌  刘文清  路新慧  李寒莹  陈红征  李昌治
作者单位:浙江大学高分子科学与工程学系硅材料国家重点实验室;香港中文大学物理系;
摘    要:设计合成了基于吡咯3,4-c]并吡咯二酮(DPP)和烷氧基苯的二元共轭聚合物P1,并通过聚合中分别引入缺电子性第三单体二氟代苯并噻二唑(DFBT)和萘二酰亚胺(NDI),进一步得到三元聚合物P2和P3.结果显示,缺电子第三单体的设计引入能调节聚合物的吸光、能级并改变聚合物在薄膜状态下的聚集行为,从而影响材料的聚合物太阳能电池光电转换效率和有机场效应晶体管电荷迁移率,采取face-on聚集取向的P1在太阳电池中表现更好,而edge-on取向的P2则在晶体管中表现出更高的空穴迁移率.

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