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热释电薄膜单片式非致冷红外焦平面阵列的研究
引用本文:刘少波,李艳秋,刘梅冬.热释电薄膜单片式非致冷红外焦平面阵列的研究[J].微纳电子技术,2003,40(11):9-12.
作者姓名:刘少波  李艳秋  刘梅冬
作者单位:1. 中国科学院电工研究所微纳加工部,北京,100080
2. 华中科技大学电子科学与技术系,湖北,武汉,430074
基金项目:中国科学院“引进国外杰出人才基金”2001年资助项目,国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90201028),国家“863”计划资助项目(2003AA404150)
摘    要:采用改进的溶胶-凝胶(sol-gel)技术,在Pt/Ti/SiO2/Si3N4/SiO2/Si基片上研制出具有优良热释电性能的BST,PLT和PZT铁电薄膜,它们是制备单片式非致冷红外焦平面阵列的优选探测材料。解决了制备热释电薄膜单片式非致冷红外焦平面阵列的关键技术,成功研制出8元、9元、10元线列和8×8元阵列,器件电压响应率(RV)达8.6×103V/W。

关 键 词:单片式  非致冷红外焦平面阵列  热释电/铁电薄膜  sol-gel技术
文章编号:1671-4776(2003)11-0009-04

Research of the pyroelectric thin film monolithic UFPA
LIU Shao-bo ,LI Yan-qiu ,LIU Mei-dong.Research of the pyroelectric thin film monolithic UFPA[J].Micronanoelectronic Technology,2003,40(11):9-12.
Authors:LIU Shao-bo  LI Yan-qiu  LIU Mei-dong
Institution:LIU Shao-bo 1,LI Yan-qiu 1,LIU Mei-dong 2
Abstract:By a modified sol-gel technique,the BST,PLT and PZT ferroelectric thin films with excel-lent pyroelectricity have been derived on the Pt/Ti/SiO 2 /Si 3 N 4 /SiO 2 /Si substrates.They are the chief can-didate sensitive materials as UFPA pixels.The key fabrication technology of pyroelectric thin film UFPA has been achieved.The8,9,10linear and8×8array of UFPA have been successfully prepared.Their figure of merits(FOM)of voltage detectivity(R V )is about 8.6×10 3 V/W.
Keywords:monolithic  UFPA  pyroelectric /ferroelectric thin film  sol-gel technique
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