SixNy沉积参数对量子阱混杂效果的影响

Si_xN_y常被用作量子阱混杂（QWI）的抑制材料，为了探索Si_xN_y的生长工艺对InGaAs/GaAs量子阱结构混杂效果的影响，对等离子体增强化学气相沉积（PECVD）法的工艺参数，如沉积时间、SiH₄流量以及射频（RF）功率进行一系列实验。实验结果表明：Si_xN_y可以较好地保护量子阱，但其厚度对QWI抑制效果的影响较小；当SiH₄流量较大时，Si_xN_y中富Si,退火过程中Si可能发生扩散而与P型欧姆接触层形成电补偿，同时诱导量子阱混杂，使其波长发生较大蓝移；减少SiH₄流量，Si_xN_y中Si的含量降低，折射率降低，但蓝移量仍较大；在一定范围内，蓝移量随着RF功率的增大而增大；当RF功率为50 W、SiH₄流量为50 sccm时，Si_xN_y...