| ICP刻蚀工艺对LED阵列电流输运特性的影响 |
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| 引用本文： | 朱彦旭,范玉宇,曹伟伟,邓叶,刘建朋. ICP刻蚀工艺对LED阵列电流输运特性的影响[J]. 发光学报, 2013, 34(10): 1362-1366 |
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| 作者姓名： | 朱彦旭 范玉宇 曹伟伟 邓叶 刘建朋 |
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| 作者单位： | 1. 北京工业大学北京光电子技术实验室,北京,100124
2. 中国联通北京分公司网管中心网络分析调度中心,北京,100029 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，北京市教委基金 |
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| 摘 要： | 在制备串联高压LED阵列工艺中,ICP刻蚀工艺引起的漏电与断路问题是高压LED电流输运特性中的核心问题。本文着重从刻蚀深度、掩模材料以及隔离槽制备方面分析了ICP刻蚀工艺对高压LED的漏电、电极开路等电流输运问题的影响。通过随机抽取样品进行电学测试并结合SEM观测,对比了不同工艺过程,得出ICP工艺是导致串联高压LED阵列中可靠性问题的主要原因。并通过优选ICP刻蚀工艺,使高压LED电流输运特性得以改善,制备出~12 V的四串联高压LED阵列器件。
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| 关 键 词： | 氮化镓 高压LED 电流输运 |
Effect of ICP Etching on Current Transport Properties in High-voltage LED Array |
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| ZHU Yan-xu , FAN Yu-yu , CAO Wei-wei , DENG Ye , LIU Jian-peng. Effect of ICP Etching on Current Transport Properties in High-voltage LED Array[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2013, 34(10): 1362-1366 |
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| Authors: | ZHU Yan-xu FAN Yu-yu CAO Wei-wei DENG Ye LIU Jian-peng |
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| Affiliation: | ZHU Yan-xu;FAN Yu-yu;CAO Wei-wei;DENG Ye;LIU Jian-peng;Beijing Optoelectronic Technology Laboratory,Beijing University of Technology;Network Management Center,China Unicom Beijing Branch; |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN high-vlotage LED current transport properties |
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