| 直流放电辅助脉冲激光沉积Si基GaN薄膜的结构特征 |
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| 引用本文： | 童杏林,郑启光,胡兵,秦应雄,席再军,于本海.直流放电辅助脉冲激光沉积Si基GaN薄膜的结构特征[J].半导体学报,2004,25(2):165-169. |
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| 作者姓名： | 童杏林 郑启光 胡兵 秦应雄 席再军 于本海 |
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| 作者单位： | 华中科技大学激光技术国家重点实验室,武汉,430074;华中科技大学激光技术国家重点实验室,武汉,430074;华中科技大学激光技术国家重点实验室,武汉,430074;华中科技大学激光技术国家重点实验室,武汉,430074;华中科技大学激光技术国家重点实验室,武汉,430074;华中科技大学激光技术国家重点实验室,武汉,430074 |
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| 摘 要： | 采用直流放电辅助脉冲激光沉积技术,在Si(111)衬底上生长了Ga N薄膜.XRD、AFM、PL 和Hall测量的结果表明在2～2 0 Pa沉积气压范围内,提高沉积气压有利提高Ga N薄膜的结晶质量;在15 0～2 2 0 m J/ Pluse入射激光脉冲强度范围内,随着入射激光脉冲强度的提高,Ga N薄膜表面结构得到改善.研究发现,在70 0℃衬底温度、2 0 Pa的沉积气压和2 2 0 m J/ Pluse的入射激光脉冲强度的优化工艺条件下,所沉积生长的Ga N薄膜具有良好的结构质量和光电性能.
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| 关 键 词： | 脉冲激光沉积 直流放电 GaN薄膜 AlN缓冲层 |
| 文章编号： | 0253-4177(2004)02-0165-05 |
| 修稿时间： | 2003年2月14日 |
Growth of GaN Thin Films on Si(111) Substrates with AlN Buffer Layer by Current Discharge Assisted Pulsed Laser Deposition |
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| Tong Xinglin,Zheng Qiguang,Hu Bing,Qin Yingxiong,Xi Zaijun and Yu Benhai.Growth of GaN Thin Films on Si(111) Substrates with AlN Buffer Layer by Current Discharge Assisted Pulsed Laser Deposition[J].Chinese Journal of Semiconductors,2004,25(2):165-169. |
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| Authors: | Tong Xinglin Zheng Qiguang Hu Bing Qin Yingxiong Xi Zaijun and Yu Benhai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | pulsed laser deposition direct current discharge GaN films AlN buffer layer |
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