| N2流量对N掺杂MgZnO薄膜结构和性能的影响 |
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| 引用本文： | 高丽丽,李永峰,徐莹,张淼,姚斌.N2流量对N掺杂MgZnO薄膜结构和性能的影响[J].发光学报,2014,35(6):689-694. |
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| 作者姓名： | 高丽丽 李永峰 徐莹 张淼 姚斌 |
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| 作者单位： | 1. 北华大学 物理学院, 吉林 吉林 132013;
2. 吉林大学 物理学院, 吉林 长春 130012 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11274135); 吉林省教育厅“十二五”科学技术研究项目(2013189)资助 |
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| 摘 要： | 利用射频磁控溅射方法，使用Mg0. 04Zn0.96O 陶瓷靶材，选用不同流量比的氮气和氩气混和气体作为溅射气体，在石英基片上生长N掺杂MgxZn1-xO合金薄膜。研究了氮流量比对薄膜组分、结构、形貌、电学性质和拉曼光谱的影响。结果显示：随着溅射气氛中氮流量比的增加，薄膜中Mg含量增加，薄膜表面颗粒尺寸减小，结晶质量变差，电阻率逐渐增大，导电类型发生转变。在氮流量比为20%时，获得了最好的p型导电薄膜。另外，随着氮流量比的增加，拉曼光谱中与NO相关的位于272 cm-1、642 cm-1左右的振动峰逐渐增强，表明NO的浓度随着氮流量比的加大而有所增加。
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| 关 键 词： | 射频磁控溅射技术 N掺杂MgZnO薄膜 氮流量比 光电性能 |
| 收稿时间： | 2014/2/26 |
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