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| N掺杂p型MgZnO薄膜的制备与性能研究 | |
| 引用本文： | 高丽丽,刘军胜,张淼,张跃林.N掺杂p型MgZnO薄膜的制备与性能研究[J].液晶与显示,2014,29(4):499. |
| 作者姓名： | 高丽丽 刘军胜 张淼 张跃林 |
| 作者单位： | 高丽丽:北华大学 物理学院, 吉林 吉林 132013吉林大学 物理学院, 吉林 长春 130012 刘军胜:北华大学 物理学院, 吉林 吉林 132013 张淼:北华大学 物理学院, 吉林 吉林 132013 张跃林:北华大学 物理学院, 吉林 吉林 132013 |
| 基金项目： | 吉林省教育厅“十二五”科学技术研究项目(No.2013189) |
| 摘 要： | 利用磁控溅射设备,Mg0.04Zn0.96O陶瓷靶材,以高纯的氮气与氩气混合气体作为溅射气体,在石英衬底上沉积获得了N掺杂p型Mg0.07Zn0.93O薄膜,薄膜的电阻率为21.47Ω·cm,载流子浓度为8.38×1016 cm-3,迁移率为3.45cm2/(V·s)。研究了该薄膜的结构与光学性能。实验结果显示,其拉曼光谱中出现了位于272和642cm-1左右与NO相关的振动模。低温光致发光光谱中,可以观察到位于3.201,3.384和3.469eV的3个发光峰,其中位于3.384eV的发光峰归因为导带电子到缺陷能级的复合发光,而位于3.469eV的发光峰归因为受主束缚激子(A0X)的辐射复合,这说明该N掺杂MgZnO薄膜的空穴载流子主要来自NO受主的贡献。 |
| 关 键 词： | 射频磁控溅射 MgZnO薄膜 N掺杂 p型 |
| 收稿时间： | 2014/4/15 |
Preparation and characterization of N doped P-type MgZnO film |
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| Abstract: | |
| Keywords: | radio frequency magnetron sputtering thin MgZnO films N doped p type |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |