| 退火对电弧离子镀制备的ZnO薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 王明东,郑婷,朱道云,何振辉,陈弟虎,闻立时. 退火对电弧离子镀制备的ZnO薄膜的影响[J]. 人工晶体学报, 2008, 37(1): 156-161 |
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| 作者姓名： | 王明东 郑婷 朱道云 何振辉 陈弟虎 闻立时 |
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| 作者单位： | 中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室,广州,510275;中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室,广州,510275;中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室,广州,510275;中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室,广州,510275;中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室,广州,510275;中山大学物理科学与工程技术学院光电材料与技术国家重点实验室,广州,510275 |
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| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 采用阴极电弧离子镀在Si、Al2O3以及玻璃衬底上制备出具有择优取向的ZnO薄膜,并对其进行退火处理.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光光谱(PL)、紫外-可见光光谱仪对ZnO薄膜的结构、表面形貌和光学性能进行分析.XRD结果表明,所制备的ZnO薄膜具有很好的ZnO(002)择优取向,退火使ZnO(002)衍射峰向高角度方向偏移.SEM结果表明,随着退火温度升高,表面晶粒由隆起的山脉或塔状变为平面状,晶粒002面呈六边状.PL谱结果表明,随着退火温度的升高,紫外发光峰强度逐渐增强,可见光发光峰强度逐渐相对减弱.紫外可见光透过谱结果表明,退火使可见光透过率增高,光学带隙发生红移.
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| 关 键 词： | 阴极电弧离子沉积 ZnO薄膜 退火 |
| 文章编号： | 1000-985X（2008）01-0156-06 |
| 收稿时间： | 2007-06-12 |
| 修稿时间： | 2007-08-28 |
Influence of Annealing on ZnO Thin Films Prepared by Cathodic Vacuum Arc Deposition |
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| WANG Ming-dong,ZHENG Ting,ZHU Dao-yun,HE Zhen-hui,CHEN Di-hu,WEN Li-shi. Influence of Annealing on ZnO Thin Films Prepared by Cathodic Vacuum Arc Deposition[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2008, 37(1): 156-161 |
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| Authors: | WANG Ming-dong ZHENG Ting ZHU Dao-yun HE Zhen-hui CHEN Di-hu WEN Li-shi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | cathodic vacuum arc deposition ZnO thin films annealing |
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