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分类号
杂志ISSN号
氨青霉素降解产物在汞膜电极上的伏安法研究
作者姓名:
张玉忠 袁倬斌
作者单位:
中国科学院研究生院化学部,北京100039
摘 要:
考察了氨苄青霉素在酸、碱条件下的降解产物于玻碳汞膜电极上的伏安行为,降解产物在醋酸缓冲溶液(pH5.5)的底液中均产生了灵敏的阴极还原峰,以碱降解条件为好。已将方法应用于模拟样品的分析。
关 键 词:
氨苄青霉素 玻碳汞膜电极 伏安法 抗菌药物 药物分析 降解产物
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