| 脉冲激光沉积制备Ge纳米薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 程成,薛催岭,宋仁国.脉冲激光沉积制备Ge纳米薄膜的研究[J].光电子．激光,2009,20(2). |
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| 作者姓名： | 程成 薛催岭 宋仁国 |
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| 作者单位： | 程成,薛催岭,CHENG Cheng,XUE Cui-ling(浙江工业大学应用物理系,浙江,杭州,310023);宋仁国,SONG Ren-guo(浙江工业大学,教育部机械制造与自动化重点实验室,浙江,杭州,310014)
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，浙江省自然科学重点基金 |
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| 摘 要： | 利用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Ar环境下于Si基片上制备出Ge纳米薄膜.用X射线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)观测了薄膜的微观结构和形貌,分析了它们随激光能量密度和衬底温度的变化情况.结果表明:Ge薄膜在室温下即可以结晶,其平均品粒尺寸随脉冲激光能量密度的增大而增大.当脉冲激光能量密度为0.94 J/cm2时,所制备的薄膜由约13 nm的颗粒组成;当脉冲激光能量密度增大为1.31 J/cm2时,颗粒的平均尺寸增大为56 nm,凡薄膜表面变得比较均匀.此外,当衬底温度从室温升到450℃过程中,晶粒平均尺寸随温度升高而增大.在实验基础上,对薄膜的生长机理进行了分析.
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| 关 键 词： | 脉冲激光沉积 纳米薄膜 微观结构 生长机理 |
A study on Ge nanofilms prepared by a pulsed laser deposition |
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| CHENG Cheng,XUE Cui-ling,SONG Ren-guo.A study on Ge nanofilms prepared by a pulsed laser deposition[J].Journal of Optoelectronics·laser,2009,20(2). |
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| Authors: | CHENG Cheng XUE Cui-ling SONG Ren-guo |
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| Institution: | 1.Department of Applied Physics;Zhejiang University of Technology;Hangzhou 310023;China;2.Key Laboratory of Mechanical Manufacturing and Automation of Education Ministry;Hangzhou 310014;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Ge |
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