| 两个子带占据的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中填充因子的变化规律 |
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| 引用本文： | 商丽燕,林铁,周文政,郭少令,李东临,高宏玲,崔利杰,曾一平,褚君浩. 两个子带占据的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中填充因子的变化规律[J]. 物理学报, 2008, 57(6) |
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| 作者姓名： | 商丽燕 林铁 周文政 郭少令 李东临 高宏玲 崔利杰 曾一平 褚君浩 |
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| 摘 要： | ![]()
研究了低温(1.5K)和强磁场(0-13T)条件下,InP基In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中电子占据两个子带时填充因子随磁场的变化规律.结果表明,在电子自旋分裂能远小于朗道能级展宽的情况下,如果两个子带分裂能是朗道分裂能的整数倍时,即⊿E21=κ*ωc(其中κ为整数),填充因子为偶数;当两个子带分裂能为朗道分裂能的半奇数倍时,即⊿E21=(2κ 1*ω/2,填充因子出现奇数.
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| 关 键 词： | In0.53Ga0.47As/In0.52Al0 48As量子阱 填充因子 磁输运 子带占据 量子阱 填充因子 变化规律 filling factor Investigation 奇数 偶数 整数倍 朗道能级 情况 展宽 分裂能 电子自旋 结果 强磁场 条件 低温 研究 |
Investigation of filling factor in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum wells with two occupied subbands |
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| Shang Li-Yan,Lin Tie,Zhou Wen-Zheng,Guo Shao-Ling,Li Dong-Lin,Gao Hong-Ling,Cui Li-Jie,Zeng Yi-Ping,Chu Jun-Hao. Investigation of filling factor in In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As quantum wells with two occupied subbands[J]. Acta Physica Sinica, 2008, 57(6) |
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| Authors: | Shang Li-Yan Lin Tie Zhou Wen-Zheng Guo Shao-Ling Li Dong-Lin Gao Hong-Ling Cui Li-Jie Zeng Yi-Ping Chu Jun-Hao |
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| Abstract: | ![]()
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