| 高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵 |
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| 引用本文： | 王青,曹玉莲,何国荣,韦欣,渠红伟,宋国峰,马文全,陈良惠.高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵[J].半导体学报,2007,28(11):1803-1806. |
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| 作者姓名： | 王青 曹玉莲 何国荣 韦欣 渠红伟 宋国峰 马文全 陈良惠 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 纳米光电子实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 纳米光电子实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 纳米光电子实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 纳米光电子实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 纳米光电子实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 纳米光电子实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 纳米光电子实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 纳米光电子实验室，北京 100083 |
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| 摘 要： | 报道了980nm高密度排列大功率垂直腔面发射激光器列阵的研制.列阵单元为蜂窝状密堆积排列,单元台面直径为70μm,氧化孔径为30μm,相邻单元间隔为100μm.制作了含7,19,37个单元的列阵,讨论了它们的阈值电流和远场特性.在室温连续工作条件下,3种列阵的最大输出功率分别为0.26,0.5和0.6W.其中含37个单元的列阵在6A脉冲电流(脉宽30μs,重复频率100Hz)激发下,输出功率达到1.4W.
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| 关 键 词： | 垂直腔面发射激光器 列阵 阈值电流 发散角 大功率 高密度 大功率 垂直腔 面发射 激光器列阵 Arrays VCSEL High Power 最大输出功率 激发 重复频率 脉宽 脉冲电流 工作条件 连续 室温 远场特性 阈值电流 制作 元间 |
| 文章编号： | 0253-4177（2007）11-1803-04 |
| 收稿时间： | 4/9/2007 10:08:17 PM |
| 修稿时间： | 5/16/2007 8:56:18 AM |
Densely Packed High Power VCSEL Arrays |
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| Wang Qing,Cao Yulian,He Guorong,Wei Xin,Qu Hongwei,Song Guofeng,Ma Wenquan and Chen Lianghui.Densely Packed High Power VCSEL Arrays[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(11):1803-1806. |
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| Authors: | Wang Qing Cao Yulian He Guorong Wei Xin Qu Hongwei Song Guofeng Ma Wenquan and Chen Lianghui |
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| Institution: | Nano-Optoelectronics Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Nano-Optoelectronics Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Nano-Optoelectronics Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Nano-Optoelectronics Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Nano-Optoelectronics Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Nano-Optoelectronics Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Nano-Optoelectronics Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Nano-Optoelectronics Laboratory,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | VCSEL array threshold current far-field angle high power |
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