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| 离子束刻蚀碲镉汞晶体的电学特性研究 | |
| 作者姓名： | 徐国庆 刘向阳 张可锋 杜云辰 李向阳 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院上海技术物理研究所, 传感技术国家重点实验室, 上海 200083;2. 中国科学院上海技术物理研究所, 红外成像材料与器件重点实验室, 上海 200083;3. 中国科学院大学, 北京 100049 |
| 摘 要： | 本文利用迁移率谱分析了离子束刻蚀后的碲镉汞晶体, 发现180 μm的p型碲镉汞晶体在刻蚀后完全转为n型, 且由两个不同电学特性的电子层组成:低迁移率的表面电子层和高迁移率的体电子层. 通过分析不同温度下的迁移率谱, 表明表面电子层的迁移率不随温度而变化, 而体电子层的迁移率随温度的变化与传统的n型碲镉汞材料一致. 不同厚度下的霍尔参数表明体电子层的电学性质均匀. 另外, 通过计算得到表面电子层的浓度要比体电子层高2-3个数量级. |
| 关 键 词： | 离子束刻蚀 迁移率谱 表面电子层 体电子层 |
| 收稿时间： | 2014-11-14 |