导电聚合物P3MT的综合光谱研究

本文通过电调制反射谱(ER)、光调制反射谱(PR)、荧光光谱(PL)以及吸收光谱首次对导电聚合物聚三甲基噻吩(P3MT)进行综合光谱测量,并根据准一维导电体系的元激发态理论模型对实验结果作了分析,研究结果表明,导电聚合物P3MT的禁带宽度约为2eV,在70—300K的温度范围内对温度不敏感;掺杂和光照皆可诱导产生本征元激发态双极化子;离化杂质对双极化子有“钉扎效应”;光照可产生显著的激子态,本文还就P3MT中光电子交换微观过程的物理图象作了讨论。