含氢硅单晶2210cm-1IR峰本质的理论研究——Ⅲ.峰型的温度效应和缺陷的对称性破缺 |
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引用本文: | 陈建民,谢雷鸣,白国仁,周建坤.含氢硅单晶2210cm-1IR峰本质的理论研究——Ⅲ.峰型的温度效应和缺陷的对称性破缺[J].中国科学A辑,1989,32(8):864-872. |
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作者姓名: | 陈建民 谢雷鸣 白国仁 周建坤 |
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作者单位: | 中国科学院上海冶金研究所 |
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摘 要: | 本文研究表明,除了200K附近异常峰宽外,2210cm-1IR峰峰宽均是由声子散射和剩余峰宽决定。对于200K附近峰宽、峰型的异常变化,提出了该峰对应缺陷中心由低温的Td对称性向高温的D2d对称性转变的机制。计算表明,空位+4H模型确实具有两种状态:低于200K的Td稳态和D2d亚稳态及高于200K的D2d稳态和Td亚稳态。对称性破缺机制所给出的结果不仅在定性上,而且在定量上都能与实验相符,这证明V+4H是2210cm-1IR峰对应的缺陷中心具有较高的可信度。
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关 键 词: | 含氢硅单晶 2210cm-1IR峰 温度效应 缺陷 |
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