含氢硅单晶2210cm-1IR峰本质的理论研究——Ⅲ.峰型的温度效应和缺陷的对称性破缺

本文研究表明,除了200K附近异常峰宽外,2210cm^-1IR峰峰宽均是由声子散射和剩余峰宽决定。对于200K附近峰宽、峰型的异常变化,提出了该峰对应缺陷中心由低温的T_d对称性向高温的D_2d对称性转变的机制。计算表明,空位+4H模型确实具有两种状态:低于200K的T_d稳态和D_2d亚稳态及高于200K的D_2d稳态和T_d亚稳态。对称性破缺机制所给出的结果不仅在定性上,而且在定量上都能与实验相符,这证明V+4H是2210cm^-1IR峰对应的缺陷中心具有较高的可信度。