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偏置退火对含氢Ti/n-GaAs Schottky势垒的控制作用
引用本文:金泗轩,元民华,王兰萍,王海萍,宋海智,秦国刚.偏置退火对含氢Ti/n-GaAs Schottky势垒的控制作用[J].中国科学A辑,1993,36(6):617-622.
作者姓名:金泗轩  元民华  王兰萍  王海萍  宋海智  秦国刚
作者单位:国际材料物理中心北京大学物理系 北京 100871
摘    要:氢能使 Ti/n-GaAs Schottky势垒下降 0.18eV之多.零偏退火使含氢的Ti/n-GaAs Schottky势垒降低,而随后的反偏退火则使含氢的 Schottky势垒增加.2h以上,100℃反偏退火后其Schottky势垒高与反偏退火的偏压之间有一一对应的关系,偏压愈大,势垒越高。

关 键 词:  Schottky势垒  零偏退火  反偏退火
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