偏置退火对含氢Ti/n-GaAs Schottky势垒的控制作用 |
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引用本文: | 金泗轩,元民华,王兰萍,王海萍,宋海智,秦国刚.偏置退火对含氢Ti/n-GaAs Schottky势垒的控制作用[J].中国科学A辑,1993,36(6):617-622. |
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作者姓名: | 金泗轩 元民华 王兰萍 王海萍 宋海智 秦国刚 |
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作者单位: | 国际材料物理中心北京大学物理系 北京 100871 |
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摘 要: | 氢能使 Ti/n-GaAs Schottky势垒下降 0.18eV之多.零偏退火使含氢的Ti/n-GaAs Schottky势垒降低,而随后的反偏退火则使含氢的 Schottky势垒增加.2h以上,100℃反偏退火后其Schottky势垒高与反偏退火的偏压之间有一一对应的关系,偏压愈大,势垒越高。
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关 键 词: | 氢 Schottky势垒 零偏退火 反偏退火 |
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