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| BaTiO3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨——晶界势垒模型 | |
| 引用本文： | 郑振华,缪容之,陈羽.BaTiO3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨——晶界势垒模型[J].中国科学A辑,1994,37(2):218-224. |
| 作者姓名： | 郑振华 缪容之 陈羽 |
| 作者单位： | 宁波大学物理系 宁波315211 |
| 摘 要： | 本文分析了BaTiO3半导体陶瓷的Daniels模型存在的问题,提出了从PTC特性向边界层电容效应过渡的晶界势垒模型,解决了Daniels模型的缺陷,使BaTiO3半导瓷及其有关器件的物理性能的定量计算成为可能。 |
| 关 键 词： | BaTiO3半导体陶瓷 PTC特性 边界层电容效应 晶界势垒模型 |
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