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离子注入对YBa2Cu3O7-x薄膜超导性能的影响
作者姓名:李贻杰 任琮欣 陈国梁 邹世昌
作者单位:中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室 上海 200050
摘    要:本文报道了Ar和F离子注入对YBa2Cu3O7-x超导薄膜电学性能及结构的影响,通过X射线衍射和电阻温度关系的测量研究了离子注入后YBa2Cu3O7-x薄膜Tc,Jc和结构的变化。实验中发现,在低剂量注入情况下,Tc和Jc随着注入剂量的增加而下降。但是,上临界温度和X射线衍射谱却几乎保持不变。当Ar离子的注入剂量达到1.2×1013Ar/cm2时,样品发生金属一半导体相交。当注入剂量大于1.2×1013Ar/cm2时,样品的体超导性能基本上完全消失了,X射线衍射峰的强度也有所减弱,最终发生了晶态-非晶态相变,室温电阻率增加了好几个数量级。讨论了超导性能变化及金属一半导体相变的物理起因。

关 键 词:&gamma  Ba2Cu3O7-x  离子注入  金属-半导体相变  正常态电阻
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