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| 区熔硅中质子注入缺陷的EPR研究 | |
| 引用本文： | 吴恩,奚小春,卢希庭,沈定予,王雪梅,秦国刚.区熔硅中质子注入缺陷的EPR研究[J].中国科学A辑,1992,35(1):108-112. |
| 作者姓名： | 吴恩 奚小春 卢希庭 沈定予 王雪梅 秦国刚 |
| 作者单位： | (1) 北京大学物理系 北京 100871 (2) 北京大学技术物理系 北京 100871 (3) 国际材料物理中心,沈阳 110015 |
| 摘 要： | 在质子注入的n型区熔硅中,电子顺磁共振(EPR)测量观察到一个新的缺陷,命名为Si-PK5.该缺陷具有以〈111〉为对称轴的三角对称,其顺磁参数为S=1/2,g∥=2.0078,g⊥=2.0174.根据Lee和Corbett 以及Sieverts 提出的缺陷分类法,Si-PK5属键心间隙型结构.此外,还观察到两个文献已报道过的缺陷:Si-S1和Si-S2. 对Si-S2,首先看到由29Si核引起的超精细分裂. |
| 关 键 词： | 电子川贝磁共振 质子注入 缺陷的对称性 |
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