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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
SIMNI和SIMOX多层结构及其光学性质的研究
作者姓名:
林成鲁
俞跃辉
方子韦
张顺开
倪如山
邹世昌
李金华
P.L.F.Hemment
作者单位:
(1) 中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室 上海 200050
(2) 常州半导体厂 常州 213001
(3) 英国萨里大学电子工程系
摘 要:
本文研究了利用大剂量的N
+
和O
+
注入单晶硅并经高温热退火以后形成的SOI(silicon on Insulator)新材料的形成过程及其多层结构.对SOI结构进行了红外吸收谱和反射谱的测量,通过对红外反射干涉谱的理论分析和计算机模拟,得到了SOI结构的折射率分布.研究表明,利用离子束合成技术可以获得高质量的SOI材料,红外吸收谱和反射谱的测量分析是一种有效的、非破坏性的检测方法.
关 键 词:
离子注入
SOI结构
光学性质
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