| SIMNI和SIMOX多层结构及其光学性质的研究 |
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| 引用本文： | 林成鲁,俞跃辉,方子韦,张顺开,倪如山,邹世昌,李金华,P.L.F.Hemment.SIMNI和SIMOX多层结构及其光学性质的研究[J].中国科学A辑,1990,33(9):976-982. |
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| 作者姓名： | 林成鲁 俞跃辉 方子韦 张顺开 倪如山 邹世昌 李金华 P.L.F.Hemment |
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| 作者单位： | (1) 中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室 上海 200050
(2) 常州半导体厂 常州 213001
(3) 英国萨里大学电子工程系 |
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| 摘 要： | 本文研究了利用大剂量的N+和O+注入单晶硅并经高温热退火以后形成的SOI(silicon on Insulator)新材料的形成过程及其多层结构.对SOI结构进行了红外吸收谱和反射谱的测量,通过对红外反射干涉谱的理论分析和计算机模拟,得到了SOI结构的折射率分布.研究表明,利用离子束合成技术可以获得高质量的SOI材料,红外吸收谱和反射谱的测量分析是一种有效的、非破坏性的检测方法.
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| 关 键 词： | 离子注入 SOI结构 光学性质 |
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