首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部学科
医药、卫生
生物科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
农业科学
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
历史、地理
语言、文字
文学
艺术
文化、科学、教育、体育
马列毛邓
全部专业
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目中文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
低通量慢中子辐照对高
T
c超导体临界温度的影响及其机理探
作者姓名:
金继荣
金新
韩永胜
史可信
陈武鸣
朱玉振
姚希贤
王弘
王卓
作者单位:
(1)南京大学物理系固体微结构实验室 南京210008
(2)山东大学晶体材料研究所 济南250100
摘 要:
本文研究了低通量(~10
8
n/cm
2
)慢中子对Bi系、Y系及其掺杂高T_c超导体临界温度T_c的影响。实验结果表明,在适量慢中子辐照后,可以明显地提高临界温度并减小超导转变宽度△T(10%—90%)。此外,本文还探讨了在适量慢中子辐照后,高T_c超导体临界温度增加和转变宽度减小的物理机理。
关 键 词:
高
T
c
超导体
临界温度
超导转变宽度
慢中子辐照
辐照缺陷
点击此处可从《中国科学A辑》浏览原始摘要信息
点击此处可从《中国科学A辑》下载
免费
的PDF全文
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号