| p-HgCdTe反型层中的子能带色散关系和Landau能级 |
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| 引用本文： | 褚君浩,R.Sizmann,F.Koch.p-HgCdTe反型层中的子能带色散关系和Landau能级[J].中国科学A辑,1990,33(5):515-521. |
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| 作者姓名： | 褚君浩 R.Sizmann F.Koch |
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| 作者单位： | (1) 中国科学院上海技术物理研究所国家红外物理实验室 上海 200083
(2) 慕尼黑技术大学物理系 联邦德国 |
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| 摘 要： | 本文从Kane模型出发并考虑表面自旋轨道相互作用,推出了窄禁带半导体子能带色散关系和Landau能级的表达式,并在4.2K下对p-HgCdTe MIS结构样品测定了电容电压谱、磁导振荡谱和迴旋共振谱,从实验上确定了子能带色散关系和Landau能级表达式中所包括的子能带参数和自旋轨道祸合强度,从而定量地给出HgCdTe反型层电子子能带色散关系和Landau能级扇形图;定量描述了零场分裂效应和Landau能级的移动和交叉效应。
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| 关 键 词： | 窄禁带半导体 HgCdTe 二维电子气 子能带 Landau能级 |
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