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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
光折变材料KNSBN:Cu
作者姓名:
姜全忠 宋永远 孙大亮 吕新亮 陈焕矗
作者单位:
山东大学晶体材料研究所 济南 250100
摘 要:
本文系统报道了KNSBN:Cu晶体的生长和光折变性能,分析了铜离子影响光折变性能的机制。研究表明:由于铜离子在能隙中形成深能级,电子迁移率下降;同时,光折变有效电荷复合中心浓度增加,两波耦合增益系数增大到纯KNSBN晶体的两倍,光折变灵敏度达 10
-3
cm
2
/J的数量级,而光折变性能受直流电场的影响减弱.KNSBSN:Cu晶体的自泵浦位相共轭反射率达65%,响应时间小于8s。
关 键 词:
光折变
KNSBN
Cu晶体
晶体生长
光生伏打效应
自泵浦位相共轭
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