|
|||||
|
|
| 电子辐照掺锂硅中深能级 | |
| 引用本文： | 姚秀琛,元民华,贾陶涛,罗守礼,兰李桥,秦国刚.电子辐照掺锂硅中深能级[J].中国科学A辑,1989,32(6):608-615. |
| 作者姓名： | 姚秀琛 元民华 贾陶涛 罗守礼 兰李桥 秦国刚 |
| 作者单位： | 1 北京大学物理系 2 北京有色金属研究总院 3 北京师范大学低能核物理研究所 4 中国高等科学技术中心(世界实验室) |
| 摘 要： | 用深能级瞬态谱法,从与锂有关的缺陷的产生和锂对电照缺陷的退火的影响两个侧面,研究了不同合氧量硅中锂和电照缺陷的相互作用。指出了氧能抑制锂和电照缺陷的相互作用,只有当锂浓度不是远小于氧浓度时,锂才能有作用。E(0.17),E(0.21),E(0.38),E(0.50),H(0.42)和H(0.47)等与锂有关的缺陷分别在不同的条件下被观测到。对比了硅中氢和锂在与电照缺陷相互作用方面的相似与不同之处。 |
| 关 键 词： | 掺锂硅 深能级 电子辐照 |
| 点击此处可从《中国科学A辑》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《中国科学A辑》下载免费的PDF全文 | |