| 双层多孔硅结构上的UHV/CVD硅外延 |
| |
| 引用本文： | 王瑾,黄靖云,黄宜平,李爱珍,包宗明,竺士炀,叶志镇.双层多孔硅结构上的UHV/CVD硅外延[J].半导体学报,2000,21(10). |
| |
| 作者姓名： | 王瑾 黄靖云 黄宜平 李爱珍 包宗明 竺士炀 叶志镇 |
| |
| 作者单位： | 1. 复旦大学电子工程系，上海 200433
2. 浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点实验室基金 |
| |
| 摘 要： | 报道了采用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)在多孔硅层上的单晶硅外延技术.研究了两步阳极化法形成不同多孔度的双层多孔硅层及外延前对多孔硅进行长时间的低温真空预处理等工艺.对获得的外延层作了XRD、XTEM和扩展电阻等测量，测量结果表明硅外延层单晶性好，并和硅衬底、多孔硅层具有相同的晶向.硅外延层为P型，电阻率大于100Ω·cm.
|
| 关 键 词： | 多孔硅 超高真空化学气相淀积 硅外延 |
UHV/CVD Si Epitaxial Growth on Double Layer Porous Silicon |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《半导体学报》下载免费的PDF全文 |
|
