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| 旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡 | |
| 引用本文： | 丁勇,赵福川,毛友德,夏冠群,赵建龙.旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡[J].半导体学报,2000,21(12). |
| 作者姓名： | 丁勇 赵福川 毛友德 夏冠群 赵建龙 |
| 作者单位： | 1. 合肥工业大学应用物理系,合肥,230009 2. 中国科学院上海冶金研究所,上海,200050 |
| 摘 要： | 通过测试不同旁栅电压条件下的MESFET沟道电流的低频振荡现象,发现旁栅偏压无论朝正向还是负向变化都存在一个阈值可消除此低频振荡.并从理论上探讨了出现这种现象的原因,初步认为这与沟道衬底(C-S)结的特性和高场下衬底深能级EL2的碰撞电离有关. |
| 关 键 词： | 低频振荡 沟道-衬底结 EL2碰撞电离 |
Low-Frequency Oscillation of MESFET Channel Current Under Sidegating Bias |
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| Keywords: | |
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