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| 躺在石墨表面上的碳纳米管 | |
| 引用本文： | 刘虹雯,薛增泉,刘惟敏,施祖进,吴锦雷. 躺在石墨表面上的碳纳米管[J]. 半导体学报, 2000, 21(4) |
| 作者姓名： | 刘虹雯 薛增泉 刘惟敏 施祖进 吴锦雷 |
| 作者单位： | 1. 北京大学电子学系，北京 100871 2. 北京大学化学与分子工程学院，北京 100871 |
| 摘 要： | 用扫描隧道显微镜(STM)测试分析了高定向石墨(HOPG)表面的碳纳米管.在大气中室温下获得了碳纳米管原子结构，测量了碳管的I-V特性.结果表明，STM观察到的一般情况下的碳管容易呈簇集状态，与透射电镜(TEM)观察到的碳纳米管一致；在稀释和超声之后，STM观察到大量的单根碳管.作者认为产生这种差别的原因，和碳管的疏水亲近效应强弱有关. |
| 关 键 词： | 碳纳米管 石墨 I-V特性 |
Carbon Nanotubes on Highly Orientated Pyrolytic Graphite |
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