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| 偏置对PMOS剂量计辐照响应的影响 | |
| 引用本文： | 范隆,张国强,严荣良,艾尔肯,任迪远.偏置对PMOS剂量计辐照响应的影响[J].半导体学报,2000,21(2). |
| 作者姓名： | 范隆 张国强 严荣良 艾尔肯 任迪远 |
| 作者单位： | 中国科学院新疆物理研究所乌鲁木齐 830011 |
| 摘 要： | 研究了不同偏置条件对PMOS探头样品辐照响应的影响.在－1～1MV/cm的电场范围内，获得了偏置对PMOS剂量计辐照响应灵敏度和线性度的影响规律.利用“空穴陷阱薄层(Hole Traps Sheet)”模型，结合辐射感生界面电荷的栅偏置电场相关性，分析了实验结果. |
| 关 键 词： | 剂量计 PMOS 辐照响应 |
Influence of Irradiation Bias Field on Response of PMOS Dosimeters |
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| Keywords: | |
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