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| Au-GaN肖特基结的伏安特性 | |
| 引用本文： | 林兆军,张太平,武国英,王玮,阎桂珍,孙殿照,张建平,张国义.Au-GaN肖特基结的伏安特性[J].半导体学报,2000,21(4). |
| 作者姓名： | 林兆军 张太平 武国英 王玮 阎桂珍 孙殿照 张建平 张国义 |
| 作者单位： | 1. 北京大学微电子所，北京 100871 2. 中国科学院半导体研究所新材料部，北京 100083 3. 北京大学物理系，北京 100871 |
| 摘 要： | 在MBE和MOCVD两种方法制备的n-GaN材料上制作了Au-GaN肖特基结，测定了肖特基结的室温I-V特性.分析表明：GaN材料的载流子浓度对肖特基结的特性有很大的影响 |
| 关 键 词： | MBE MOCVD GaN 肖特基结 伏安特性 |
I-V Characteristics of Au-GaN Schottky Junction |
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