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| 超薄基区SiGe HBT电流传输模型 | |
| 引用本文： | 李垚,孔德义,魏敬和,许居衍.超薄基区SiGe HBT电流传输模型[J].半导体学报,2000,21(1). |
| 作者姓名： | 李垚 孔德义 魏敬和 许居衍 |
| 作者单位： | 东南大学无锡应用科学与工程研究院 无锡 214071 |
| 摘 要： | 从玻尔兹曼方程出发，分析了SiGe HBT超薄基区中载流子温度，扩散系数等参量的变化，建立了不同于常规基区宽度的新的超薄基区SiGe HBT电流传输模型。 |
| 关 键 词： | HBT 电流传输 SiGe |
Base Transport Model for Ultra-Thin-Base SiGe HBT |
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| Keywords: | |
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