外类杂质在氧化亚铜中的扩散

在640—960℃温度范围内研究了放射性铊和钽在结晶粒结构的氧化亚铜晶体中的扩散。结果指出,它们分别满足下列关系式:D_Tl=2.29×10^-2e^-37000/(RT)+7.73×10^-9e^-6100/(RT)厘米²/秒;D_Ta=8.95e^-49500/(RT)+1.85×10^-8e^-7200/(RT)厘米²/秒。logD～1/T图线在760±10℃有一转折点,在这个温度以上和以下由曲线斜率求出的激活能是不同的。根据实验结果可以认为,在760℃以下,杂质原子主要是沿着晶粒间界发生扩散的,而在760℃以上是沿着单晶体的空位式扩散机构。并且认为空位式的扩散机构是舆空格点本身的位移相伴随着。放射性钽在氧化过程中的浓度分布指出:在760℃以下,在氧化过程中,氧和铜的相对扩散佔同等重要地位;而在760℃以上,随着温度的升高,铜的扩散逐渐佔优势,在继续氧化过程中,由於氧的扩散生成的氧化层逐渐减少。