| 降低适用于高密记录写入磁头的Fe-N薄膜矫顽力的研究 |
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| 引用本文： | 李丹,张静,雷牧云,田中卓,潘峰.降低适用于高密记录写入磁头的Fe-N薄膜矫顽力的研究[J].人工晶体学报,2004,33(2):159-163. |
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| 作者姓名： | 李丹 张静 雷牧云 田中卓 潘峰 |
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| 作者单位： | 清华大学材料系,北京,100084;北京金隅集团有限责任公司,北京,100031;烁光特晶科技有限公司,北京,100018;北京科技大学材料物理系,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.19890310)资助项目 |
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| 摘 要： | 用RF磁控溅射方法,在高功率下制备厚度为2μm的薄膜,当N含量在5.9～8.5;原子分数范围内,形成α′+α″相时,4πMs=2.2T,Hc=58.6A/m,可以满足针对高存储密度的GMR/感应式复合读写磁头中写入磁头的需要.用该方法在不同的本底真空度下制备Fe-N薄膜,发现较高真空下比较低真空下制备的Fe-N薄膜磁学性能要好.P=1000W时,较高真空下制备的Fe-N薄膜的矫顽力为34.8A/m,较低真空下制备的Fe-N薄膜的矫顽力为58.6A/m.AFM测试表明,在功率条件相同情况下,较高真空下制备的Fe-N薄膜表面光滑、平整、起伏小、薄膜致密;而较低真空下制备的Fe-N薄膜,表面粗糙、起伏大、薄膜较疏松、不均匀.
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| 关 键 词： | Fe-N薄膜 矫顽力 RF磁控溅射 |
| 文章编号： | 1000-985X(2004)02-0159-05 |
Seeking Ways to Reduce the Coercivity of Fe-N Soft Magnetic Films |
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| LI Dan,ZHANG Jing,LEI Mu-yun,TIAN Zhong-zhuo,PAN Feng.Seeking Ways to Reduce the Coercivity of Fe-N Soft Magnetic Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2004,33(2):159-163. |
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| Authors: | LI Dan ZHANG Jing LEI Mu-yun TIAN Zhong-zhuo PAN Feng |
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| Institution: | LI Dan~1,ZHANG Jing~2,LEI Mu-yun~3,TIAN Zhong-zhuo~4,PAN Feng~1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Fe-N films coercivity RF magnetron sputtering |
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