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| 应用质子活化分析测定半导体硅中痕量氧、氮和碳 | |
| 引用本文： | 中国科学院上海原子核研究所活化分析组.应用质子活化分析测定半导体硅中痕量氧、氮和碳[J].物理,1980(1). |
| 作者姓名： | 中国科学院上海原子核研究所活化分析组 |
| 摘 要： | 一、引 言 荷电粒子活化分析是一种基于核技术的分析方法.通过荷电粒子与待测核间的核反应,产生放射性核素;测量这些放射性核素的特征放射性及其强度,即可进行元素的定性、定量分析.荷电粒子活化分析轻元素的灵敏度很高,在国民经济中有着重要的应用. 例如半导体材料的质量、电学性能与它的痕量轻元素杂质(氧、氮和碳)的含量有关.对这些痕量轻元素进行高灵敏度的定量测定,就成为半导体等超纯材料的研制和生产中的重要环节.目前,荷电粒子(p,d,α、He3等等)活化分析是测定超纯材料中痕量轻元素最灵敏而有效的方法之一1,2]. 本文主要介绍应用… |
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