| Co-W合金镀层表面氧化膜在碱性体系中的电化学研究 |
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| 引用本文： | 杜海龙,张勇,盛敏奇,刘卫东,钟庆东,王毅,周琼宇.Co-W合金镀层表面氧化膜在碱性体系中的电化学研究[J].化学学报,2011,69(8):881-888. |
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| 作者姓名： | 杜海龙 张勇 盛敏奇 刘卫东 钟庆东 王毅 周琼宇 |
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| 作者单位： | (1上海大学 上海市现代冶金与材料制备重点实验室 上海 200072)
(2四川省达州电业局 达州 635000)5. 上海市现代冶金与材料制备重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目;教育部新世纪优秀人才支持计划;教育部创新团队计划 |
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| 摘 要： | 采用电化学手段以及Mott-Schottky理论, 并结合氧化膜点缺陷模型(PDM)分析研究了Co-W合金镀层在1 mol? L－1 NaOH溶液中表面氧化膜的半导体性质, 并分别计算出了不同W含量的Co-W合金镀层在－0.15, －0.25和－0.35 V三个不同电位下阳极氧化后氧化膜的供体密度、平带电位及氧空穴扩散系数. 结果表明, Co-W合金镀层在1 mol?L－1 NaOH溶液中表面氧化膜的Mott-Schottky曲线线性区斜率为正, 表现出N型半导体性质|随着阳极氧化电位的升高或合金镀层W含量的降低, 氧化膜供体密度ND逐渐增大, 导致氧化膜被破坏或发生点蚀的几率升高|随着阳极氧化电位的降低或合金镀层W含量的降低, 氧化膜平带电位呈降低趋势, 说明其耐蚀性升高|不同W含量的Co-W合金镀层在三个不同电位下阳极氧化后的氧化膜的氧空穴扩散系数为(1.543～8.533)×10－14 cm2?s－1.
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| 关 键 词： | Co-W合金 氧化膜 Mott-Schottky分析 PDM模型 氧空穴扩散系数 |
Study on Electrochemistry of Oxide Films Formed on the Surface of Cobalt-tungsten Alloy Coatings in Alkali Solution |
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| Du Hailong,Zhang Yong,Sheng Minqi,Liu Weidong,Zhong Qingdong,Wang Yi,Zhou Qiongyu.Study on Electrochemistry of Oxide Films Formed on the Surface of Cobalt-tungsten Alloy Coatings in Alkali Solution[J].Acta Chimica Sinica,2011,69(8):881-888. |
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| Authors: | Du Hailong Zhang Yong Sheng Minqi Liu Weidong Zhong Qingdong Wang Yi Zhou Qiongyu |
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| Institution: | (1 Key Laboratory of Modern Metallurgy and Material Processing, Shanghai University, Shanghai 200072)
(2 Dazhou Electric Power Bureau of Sichuan, Dazhou 635000) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Co-W alloy oxide films Mott-Schottky analysis point defect model oxygen vacancy diffusion coefficient |
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